트랜지스터(Transistor)

트랜지스터(Transistor)

1. NPN형 트랜지스터

N형 반도체 사이에 P형 반도체를 끼운 구조.

종류
고주파용(2SCXXX)과 저주파용(2SDXXX)로 대별되며 저주파 증폭용, 전력 증폭용, 고주파 증폭용, 발진용, 주파수 변환용, 스위칭용 등 각종의 것이 제조되고 있다.

2. PNP형 트랜지스터

불순물 농도가 작고 폭이 좁은 N형 영역의 양쪽에서 P형 영역으로 접합된 반도체의 조합

중앙의 영역을 베이스(B)라 한다. 또 베이스를 중심으로 바깥쪽에 있는 순방향의 영역을 이미터(E), 역방향의 영역을 컬렉터(C)라 하며 그 접점을 이미터 접합, 컬렉터 접합이라 한다.

3. PN접합

P형 반도체와 N형 반도체가 하나의 결정체 내에서 결계를 두고 업하고 있는 접합.

P영역에서는 홀 농도가 전자에 비해 극히 크고 N영역에서는 반대로 되어 접합 부분에서는 케리어의 이동을 방해하는 전계가 생긴다.

4. N형 반도체( n-type semiconductor)

과잉전자에 의해 전기전도가 이루어지는 불순물 반도체

4개의 가전자를 가진 실리콘이나 게르마늄의 단결정속에 5개의 가전자를 가진 안티몬, 비소 등을 불순물로하여 혼합시키면 결합과 관계없는 전자(과잉전자)가 생긴다. 이 전자가 자유전자가 되어 전기전도가 이루어 진다. n은 negative의 머리 글자이며 전자는 (負) 전하이다.

5. P형 반도체

4개의 가전자를 가진 실리콘이나 게르마늄의 진성 반도체에 3가의 붕소나 칼륨을 미량 혼입한 것.

불순물(억셉터라 부른다) 이 결합된 곳에 공유전자(共有電子)가 부족하여 정공이 생긴다. 이 정공이 결정 격자 속을 움직이게 되므로 전기전도가 이루어 진다. P는 positive의 머리 글자이며 전자는 양 전하이다.